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PMDPB30XNA规格书详情
描述 Description
Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small and leadless ultra thin DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
技术参数
- 制造商编号
:PMDPB30XNA
- 生产厂家
:Nexperia
- Package name
:DFN2020-6
- Product status
:Production
- Channel type
:N
- Nr of transistors
:2
- VDS [max] (V)
:20
- RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)
:34
- RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)
:46
- Tj [max] (°C)
:150
- ID [max] (A)
:4.5
- QGD [typ] (nC)
:1.5
- QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)
:6.6
- Ptot [max] (W)
:0.49
- Qr [typ] (nC)
:0.8
- VGSth [typ] (V)
:0.65
- Automotive qualified
:Y
- Ciss [typ] (pF)
:619
- Coss [typ] (pF)
:59.999996
- Release date
:2024-02-08
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
24+ |
NA/ |
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Nexperia(安世) |
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恩XP |
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DFN2020-6 |
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恩XP |
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恩XP |
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Nexperia(安世) |
23+ |
DFN-6(2x2) |
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Nexperia USA Inc. |
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恩XP |
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DFN2020-6 |
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恩XP |
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DFN2020-6 |
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恩XP |
DFN2020-6 |
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