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PMDPB30XNA中文资料20 V, dual N-channel Trench MOSFET数据手册Nexperia规格书

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厂商型号

PMDPB30XNA

功能描述

20 V, dual N-channel Trench MOSFET

制造商

Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved

中文名称

安世 安世半导体(中国)有限公司

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-27 9:32:00

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PMDPB30XNA规格书详情

描述 Description

Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small and leadless ultra thin DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

技术参数

  • 制造商编号

    :PMDPB30XNA

  • 生产厂家

    :Nexperia

  • Package name

    :DFN2020-6

  • Product status

    :Production

  • Channel type

    :N

  • Nr of transistors

    :2

  • VDS [max] (V)

    :20

  • RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)

    :34

  • RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)

    :46

  • Tj [max] (°C)

    :150

  • ID [max] (A)

    :4.5

  • QGD [typ] (nC)

    :1.5

  • QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)

    :6.6

  • Ptot [max] (W)

    :0.49

  • Qr [typ] (nC)

    :0.8

  • VGSth [typ] (V)

    :0.65

  • Automotive qualified

    :Y

  • Ciss [typ] (pF)

    :619

  • Coss [typ] (pF)

    :59.999996

  • Release date

    :2024-02-08

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