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PMDPB30XNA

20 V, dual N-channel Trench MOSFET

Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small and leadless ultra thin DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

Nexperia

安世

PMEG100V100ELPD

NEXPERIA
原厂

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半导体(中国)有限公司

上传:深圳市世正电子有限公司

PMEG4005EGWX

NXP
SOD123

恩XP

PMEG4030ER

NXP
SOD123

恩XP

PMEG6010CEH

NEXPERIA
SOD-123F

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半导体(中国)有限公司

上传:深圳市智连鑫科技有限公司

技术参数

  • Package name:

    DFN2020-6

  • Product status:

    Production

  • Channel type:

    N

  • Nr of transistors:

    2

  • VDS [max] (V):

    20

  • RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ):

    34

  • RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ):

    46

  • Tj [max] (°C):

    150

  • ID [max] (A):

    4.5

  • QGD [typ] (nC):

    1.5

  • QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC):

    6.6

  • Ptot [max] (W):

    0.49

  • Qr [typ] (nC):

    0.8

  • VGSth [typ] (V):

    0.65

  • Automotive qualified:

    Y

  • Ciss [typ] (pF):

    619

  • Coss [typ] (pF):

    59.999996

  • Release date:

    2024-02-08

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