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PMDPB56XNEA	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, dual N-channel Trench MOSFET Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small and leadless DFN2020D-6 (SOT1118D) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Trench MOSFET technology\n• Low threshold voltage\n• Leadless medium power SMD plasticpackage:2×2×0.65mm\n• Tin-plated 100 % solderable side pads for optical solder inspection\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia
PMDPB56XNEA	文件：734.2 Kbytes Page：17 Pages	丝印：3A；Package：DFN2020D-6；30 V, dual N-channel Trench MOSFET 文件：734.2 Kbytes 页数：17 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMEG100V100ELPD	文件：0 bytes Page：0 Pages	原厂	NEXPERIA 安世上传：深圳市世正电子有限公司	NEXPERIA
PMEG100V100ELPDZ	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT1289	NEXPERIA/安世上传：深圳市盈慧通电子有限公司	NEXPERIA/安世
PMEG4005EGWX	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOD123	恩XP 上传：亚泰电子科技有限公司	恩XP

技术参数

Package name：
DFN2020D-6
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
2
VDS [max] (V)：
30
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
72
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
102
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
3.1
QGD [typ] (nC)：
0.8
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
2.9
Ptot [max] (W)：
0.485
VGSth [typ] (V)：
1
Automotive qualified：
Y
Ciss [typ] (pF)：
256
Coss [typ] (pF)：
31.000002
Release date：
2016-04-19

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更多PMDPB56XNEA供应商更新时间2025-12-2 11:16:00

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