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PMDPB56XNEA	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, dual N-channel Trench MOSFET; • Trench MOSFET technology\n• Low threshold voltage\n• Leadless medium power SMD plasticpackage:2×2×0.65mm\n• Tin-plated 100 % solderable side pads for optical solder inspection\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM\n• AEC-Q101 qualified\n; Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small and leadless DFN2020D-6 (SOT1118D) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.\n	NexperiaNexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	Nexperia
PMDPB56XNEA	文件：734.2 Kbytes Page：17 Pages	丝印：3A；Package：DFN2020D-6；30 V, dual N-channel Trench MOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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PMDPB56XNEA

文件：300 bytes

Page：1 Pages

30 V, dual N-channel Trench MOSFET; • Trench MOSFET technology\n• Low threshold voltage\n• Leadless medium power SMD plasticpackage:2×2×0.65mm\n• Tin-plated 100 % solderable side pads for optical solder inspection\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM\n• AEC-Q101 qualified\n;

Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small and leadless DFN2020D-6 (SOT1118D) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.\n

安世安世半导体(中国)有限公司

Nexperia

PMDPB56XNEA

文件：734.2 Kbytes

Page：17 Pages

丝印：3A；Package：DFN2020D-6；30 V, dual N-channel Trench MOSFET

安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA

技术参数

Package name：
DFN2020D-6
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
2
VDS [max] (V)：
30
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
72
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
102
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
3.1
QGD [typ] (nC)：
0.8
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
2.9
Ptot [max] (W)：
0.485
VGSth [typ] (V)：
1
Automotive qualified：
Y
Ciss [typ] (pF)：
256
Coss [typ] (pF)：
31.000002
Release date：
2016-04-19

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