PMDPB80XP中文资料20 V, dual P-channel Trench MOSFET数据手册Nexperia规格书
PMDPB80XP规格书详情
描述 Description
Dual P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small and leadless ultra thin DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
特性 Features
• 1.8 V RDSon rated for low voltage gate drive
• Trench MOSFET technology
• Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm
• Exposed drain pad for excellent thermal conduction
应用 Application
• Charging switch for portable devices
• DC/DC converters
• Small brushless DC motor drive
• Power management in battery-driven portables
• Hard disc and computing power management
技术参数
- 制造商编号
：PMDPB80XP
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN2020-6
- Product status
：Production
- Channel type
：P
- Nr of transistors
：2
- VDS [max] (V)
：-20
- VGS [max] (V)
：12
- RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)
：102
- RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)
：125
- integrated gate-source ESD protection diodes
：N
- Tj [max] (°C)
：150
- ID [max] (A)
：-3.7
- QGD [typ] (nC)
：0.96
- QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)
：5.7
- Ptot [max] (W)
：0.485
- VGSth [typ] (V)
：-0.6
- Automotive qualified
：N
- Ciss [typ] (pF)
：550
- Coss [typ] (pF)
：63
- Release date
：2012-05-31
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