| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
PMDPB80XP | 丝印：1U；Package：DFN2020-6；20 V, dual P-channel Trench MOSFET 文件：1.50311 Mbytes 页数：15 Pages | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 | NEXPERIA | |
20 V, dual P-channel Trench MOSFET 文件：899.84 Kbytes 页数：15 Pages | PHI 飞利浦 | PHI | ||
PMDPB80XP | 20 V, dual P-channel Trench MOSFET Dual P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small and leadless ultra thin DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • 1.8 V RDSon rated for low voltage gate drive\n• Trench MOSFET technology\n• Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm\n• Exposed drain pad for excellent thermal conduction; | Nexperia 安世 | Nexperia | |
NEXPERIA | NEXPERIA | |||
NXP | 恩XP 上传：亚泰电子科技有限公司 | 恩XP |
技术参数
- Package name：
DFN2020-6
- Product status：
Production
- Channel type：
P
- Nr of transistors：
2
- VDS [max] (V)：
-20
- VGS [max] (V)：
12
- RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
102
- RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
125
- integrated gate-source ESD protection diodes：
N
- Tj [max] (°C)：
150
- ID [max] (A)：
-3.7
- QGD [typ] (nC)：
0.96
- QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
5.7
- Ptot [max] (W)：
0.485
- VGSth [typ] (V)：
-0.6
- Automotive qualified：
N
- Ciss [typ] (pF)：
550
- Coss [typ] (pF)：
63
- Release date：
2012-05-31
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
标准封装 |
7798 |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
询价 | ||
恩XP |
2019+PB |
DFN2020-6 |
33450 |
原装正品 可含税交易 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
DFN2020-6 |
3000 |
国产南科平替供应大量 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
25+ |
DFN2020-6 |
42168 |
NEXPERIA/安世全新特价PMDPB80XP即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
Nexperia |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
23+ |
DFN2020-6 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
DFN2020 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
21+ |
DFN20206 |
19600 |
一站式BOM配单 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
N/A |
6000 |
公司只做原装，可来电咨询 |
询价 | ||
恩XP |
15+ |
DFN2020 |
995200 |
热卖大量现货样品可 |
询价 |
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