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PMDPB80XP	文件：1.50311 Mbytes Page：15 Pages	丝印：1U；Package：DFN2020-6；20 V, dual P-channel Trench MOSFET 文件：1.50311 Mbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMDPB80XP_15	文件：899.84 Kbytes Page：15 Pages	20 V, dual P-channel Trench MOSFET 文件：899.84 Kbytes 页数：15 Pages	PHI PHI	PHI
PMDPB80XP	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, dual P-channel Trench MOSFET Dual P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small and leadless ultra thin DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • 1.8 V RDSon rated for low voltage gate drive\n• Trench MOSFET technology\n• Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm\n• Exposed drain pad for excellent thermal conduction;	Nexperia 安世	Nexperia
PMDPB80XP,115	文件：0 bytes Page：0 Pages	NA	安世上传：深圳市思拓威电子有限公司	安世
PMEG10010ELR	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOD-123W	NEXPERIA/安世上传：深圳市星源辉科技有限公司	NEXPERIA/安世

技术参数

Package name：
DFN2020-6
Product status：
Production
Channel type：
P
Nr of transistors：
2
VDS [max] (V)：
-20
VGS [max] (V)：
12
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
102
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
125
integrated gate-source ESD protection diodes：
N
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
-3.7
QGD [typ] (nC)：
0.96
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
5.7
Ptot [max] (W)：
0.485
VGSth [typ] (V)：
-0.6
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
550
Coss [typ] (pF)：
63
Release date：
2012-05-31

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更多PMDPB80XP供应商更新时间2026-10-29 23:00:00

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