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PMDPB95XNE2规格书详情
描述 Description
Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small and leadless DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
特性 Features
• Very fast switching
• Trench MOSFET technology
• Leadless medium power SMD plasticpackage:2×2×0.65mm
• Exposed drain pad for excellent thermal conduction
• EletroStatic Discharge (ESD) protection > 2kVHBM
应用 Application
• Charging switch for portable devices
• DC-to-DC converters
• Small brushless DC motor drive
• Power management in battery-driven portables
• Hard disk and computing power management
技术参数
- 制造商编号
：PMDPB95XNE2
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN2020-6
- Product status
：Production
- Channel type
：N
- Nr of transistors
：2
- VDS [max] (V)
：30
- VGS [max] (V)
：12
- RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)
：99
- RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)
：117
- integrated gate-source ESD protection diodes
：Y
- VESD HBM (V)
：2000
- Tj [max] (°C)
：150
- ID [max] (A)
：3
- QGD [typ] (nC)
：0.8
- QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)
：2.9
- Ptot [max] (W)
：0.51
- VGSth [typ] (V)
：1
- Automotive qualified
：N
- Ciss [typ] (pF)
：258
- Coss [typ] (pF)
：31.000002
- Release date
：2016-04-19
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Nexperia(安世) |
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SOT1118 |
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恩XP |
23+ |
NA |
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原装正品 |
询价 |
