首页>PMDPB85UPE>规格书详情
PMDPB85UPE中文资料20 V dual P-channel Trench MOSFET数据手册Nexperia规格书
PMDPB85UPE规格书详情
描述 Description
Dual small-signal P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
特性 Features
• Low threshold voltage
• Very fast switching
• Trench MOSFET technology
• 2 kV ElectroStatic Discharge (ESD) protection
应用 Application
• Relay driver
• High-speed line driver
• High-side load switch
• Switching circuits
技术参数
- 制造商编号
：PMDPB85UPE
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN2020-6
- Product status
：Production
- Channel type
：P
- Nr of transistors
：2
- VDS [max] (V)
：-20
- VGS [max] (V)
：8
- RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)
：103
- RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)
：146
- integrated gate-source ESD protection diodes
：Y
- VESD HBM (V)
：2000
- Tj [max] (°C)
：150
- ID [max] (A)
：-3.7
- QGD [typ] (nC)
：1
- QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)
：5.4
- Ptot [max] (W)
：0.515
- VGSth [typ] (V)
：-0.7
- Automotive qualified
：N
- Ciss [typ] (pF)
：514
- Coss [typ] (pF)
：78
- Release date
：2012-06-20
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
24+ |
原厂原封可拆样 |
65258 |
百分百原装现货,实单必成 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
24+ |
NA/ |
24250 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
25+ |
SOT1118 |
600000 |
NEXPERIA/安世全新特价PMDPB85UPE即刻询购立享优惠#长期有排单订 |
询价 | ||
NEXPERIA |
24+ |
DFN6 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
DFN20206 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
Nexperia(安世) |
24+ |
DFN6(2x2) |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
23+ |
DFN6 |
467790 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT1118 |
10990 |
原装正品 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
2025+ |
DFN2020-6 |
5000 |
原装进口,免费送样品! |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
2447 |
SOT1118 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 |
