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PMDPB85UPE	文件：1.47554 Mbytes Page：15 Pages	Marking：2C；Package：SOT1118；20 V dual P-channel Trench MOSFET 1.1Generaldescription Dualsmall-signalP-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)ina leadlessmediumpowerDFN2020-6(SOT1118)Surface-MountedDevice(SMD)plastic packageusingTrenchMOSFETtechnology. 1.2Featuresandbenefits Lowthresholdvoltage Veryfastswitchi	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMDPB85UPE	文件：884.36 Kbytes Page：15 Pages	20 V dual P-channel Trench MOSFET	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
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PMDPB85UPE

文件：1.47554 Mbytes

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Marking：2C；Package：SOT1118；20 V dual P-channel Trench MOSFET

1.1Generaldescription Dualsmall-signalP-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)ina leadlessmediumpowerDFN2020-6(SOT1118)Surface-MountedDevice(SMD)plastic packageusingTrenchMOSFETtechnology. 1.2Featuresandbenefits Lowthresholdvoltage Veryfastswitchi

安世安世半导体(中国)有限公司

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20 V dual P-channel Trench MOSFET

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

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20 V dual P-channel Trench MOSFET

PhilipsNXP Semiconductors

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Philips

详细参数

型号：
PMDPB85UPE
制造商：
NXP Semiconductors
功能描述：
MOSFET DUAL P-CH 20V DFN2020
功能描述：
MOSFET, DUAL P-CH, 20V, DFN2020
功能描述：
MOSFET, DUAL P-CH, 20V, DFN2020, Transistor
Polarity：
Dual P Channel, Continuous Drain Current
Id：
-3.7A, Drain Source Voltage
Vds：
-20V, On Resistance
Rds(on)：
0.082ohm, Rds(on) Test Voltage
Vgs：
-4.5V, Threshold Voltage
Vgs：
-700mV, , RoHS
Compliant：
Yes

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