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PMDPB85UPE	文件：1.47554 Mbytes Page：15 Pages	Marking：2C；Package：SOT1118；20 V dual P-channel Trench MOSFET 1.1Generaldescription Dualsmall-signalP-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)ina leadlessmediumpowerDFN2020-6(SOT1118)Surface-MountedDevice(SMD)plastic packageusingTrenchMOSFETtechnology. 1.2Featuresandbenefits Lowthresholdvoltage Veryfastswitchi	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMDPB85UPE_15	文件：879.71 Kbytes Page：15 Pages	20 V dual P-channel Trench MOSFET	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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PMDPB85UPE

文件：1.47554 Mbytes

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Marking：2C；Package：SOT1118；20 V dual P-channel Trench MOSFET

1.1Generaldescription Dualsmall-signalP-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)ina leadlessmediumpowerDFN2020-6(SOT1118)Surface-MountedDevice(SMD)plastic packageusingTrenchMOSFETtechnology. 1.2Featuresandbenefits Lowthresholdvoltage Veryfastswitchi

安世安世半导体(中国)有限公司

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PMDPB85UPE_15

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20 V dual P-channel Trench MOSFET

PhilipsPhilips Semiconductors

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