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PZT5551	文件：443.53 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconPlanarEpitaxialTransistor NPNSiliconPlanarEpitaxialTransistor P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
PZT5551	文件：352 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconPlanarEpitaxialTransistor NPNSiliconPlanarEpitaxialTransistor P/bLead(Pb)-Free	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
PZT5551	文件：199.27 Kbytes Page：4 Pages	HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
PZT5551	文件：433.17 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •HighVoltageAmplifierApplication •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •Marking:Z	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
SAA5551PS	文件：340.54 Kbytes Page：80 Pages	StandardTVMicrocontrollerswithOn-ScreenDisplay(OSD) GENERALDESCRIPTION TheSAA55xxstandardfamilyofmicrocontrollersareaderivativeofthePhilipsindustry-standard80C51microcontroller,andareintendedforuseasthecentralcontrolmechanisminatelevisionreceiver.Theyprovidecontrolfunctionsforthetelevisionsystem,OSD,andsom	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
SBT5551	文件：261.06 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconTransistor Descriptions •Generalpurposeamplifier •Highvoltageapplication Features •highcollectorbreakdownvoltage:VCBO=180V, VCEO=160V •Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(MAX.) •ComplementarypairwithSBT5401	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SBT5551	文件：193.45 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconTransistor	AUK AUK corp	AUK
SBT5551	文件：191.98 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconTransistor Descriptions •Generalpurposeamplifier •Highvoltageapplication Features •highcollectorbreakdownvoltage:VCBO=180V,VCEO=160V •Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(MAX.) •ComplementarypairwithSBT5401	AUK AUK corp	AUK
SBT5551F	文件：265.08 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconTransistor Descriptions •Generalpurposeamplifier •Highvoltageapplication Features •highcollectorbreakdownvoltage: VCBO=180V,VCEO=160V •Lowcollectorsaturationvoltage: VCE(sat)=0.5V(MAX.) •ComplementarypairwithSBT5401F	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SBT5551F	文件：191.38 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconTransistor Descriptions •Generalpurposeamplifier •Highvoltageapplication Features •highcollectorbreakdownvoltage:VCBO=180V,VCEO=160V •Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(MAX.) •ComplementarypairwithSBT5401F	AUK AUK corp	AUK

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详细参数

型号：
PMBT5551
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN HV 300mA 160V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多PMBT5551供应商更新时间2025-7-23 23:00:00

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