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PMBT5551	文件：43.66 Kbytes Page：8 Pages	NPN high-voltage transistor DESCRIPTION NPNhigh-voltagetransistorinaSOT23plasticpackage. PNPcomplement:PMBT5401. FEATURES •Lowcurrent(max.300mA) •Highvoltage(max.160V). APPLICATIONS •Generalpurpose •Telephony.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PMBT5551	文件：185.26 Kbytes Page：8 Pages	Marking：G1；Package：SOT23；NPN high-voltage transistor 1.Generaldescription NPNhigh-voltagetransistorinaSOT23plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Lowcurrent(max.300mA) •Highvoltage(max.160V) •AEC-Q101qualified 3.Applications •Generalpurpose	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMBT5551-Q	文件：186.37 Kbytes Page：8 Pages	Marking：G1；Package：SOT23；NPN high-voltage transistor 1.Generaldescription NPNhigh-voltagetransistorinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. 2.Featuresandbenefits •Lowcurrent(max.300mA) •Highvoltage(max.160V) •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMBT5551,215	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 160V 0.3A TO236AB	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
PMBT5551,235	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 160V 0.3A TO236AB	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
PMST5551	文件：57.14 Kbytes Page：8 Pages	NPNhigh-voltagetransistors DESCRIPTION NPNhigh-voltagetransistorinaSOT323plasticpackage. PNPcomplement:PMST5401. FEATURES •Lowcurrent(max.300mA) •Highvoltage(max.160V). APPLICATIONS •Switchingandamplificationinhighvoltageapplicationssuchastelephony.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PMST5551	文件：131.42 Kbytes Page：7 Pages	NPNhigh-voltagetransistors FEATURES •Lowcurrent(max.300mA) •Highvoltage(max.160V). APPLICATIONS •Switchingandamplificationinhighvoltageapplications suchastelephony. DESCRIPTION NPNhigh-voltagetransistorinaSOT323plasticpackage. PNPcomplement:PMST5401.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMST5551	文件：185.38 Kbytes Page：8 Pages	NPNhigh-voltagetransistor 1.Generaldescription NPNhigh-voltagetransistorinaverysmallSOT323(SC-70)Surface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. PNPcomplement:PMST5401 2.Featuresandbenefits •Lowcurrent(max.300mA) •Highvoltage(max.160V) •AEC-Q101qualified 3.Applications •Switchingan	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMST5551-Q	文件：184.5 Kbytes Page：8 Pages	NPNhigh-voltagetransistor 1.Generaldescription NPNhigh-voltagetransistorinaverysmallSOT323(SC-70)Surface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Lowcurrent(max.300mA) •Highvoltage(max.160V) •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplicati	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PZT5551	文件：222.87 Kbytes Page：4 Pages	HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR FEATURES HighCollector-EmitterVoltage: VCEO=160V Highcurrentgain	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC

详细参数

型号：
PMBT5551
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN HV 300mA 160V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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深圳市高捷芯城科技有限公司	PMBT5551	NEXPERIA/安世	24+	SOT-23	39524	原装正品,现货库存,1小时内发货	询价
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更多PMBT5551供应商更新时间2025-7-23 15:33:00

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