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SBT5551	文件：191.98 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Transistor Descriptions • General purpose amplifier • High voltage application Features • high collector breakdown voltage : VCBO = 180V, VCEO = 160V • Low collector saturation voltage : VCE(sat)=0.5V(MAX.) • Complementary pair with SBT5401 文件：191.98 Kbytes 页数：3 Pages	AUK	AUK
SBT5551	文件：261.06 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon Transistor Descriptions • General purpose amplifier • High voltage application Features • high collector breakdown voltage : VCBO = 180V, VCEO = 160V • Low collector saturation voltage : VCE(sat)=0.5V(MAX.) • Complementary pair with SBT5401 文件：261.06 Kbytes 页数：5 Pages	KODENSHI 可天士	KODENSHI
SBT5551	文件：193.45 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Transistor 文件：193.45 Kbytes 页数：3 Pages	AUK	AUK
SBT5551	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors	Kodenshi-AUK	Kodenshi-AUK
SBT5551F	文件：191.38 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Transistor Descriptions • General purpose amplifier • High voltage application Features • high collector breakdown voltage : VCBO = 180V, VCEO = 160V • Low collector saturation voltage : VCE(sat)=0.5V(MAX.) • Complementary pair with SBT5401F 文件：191.38 Kbytes 页数：3 Pages	AUK	AUK
SBT5551F	文件：265.08 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Transistor Descriptions • General purpose amplifier • High voltage application Features • high collector breakdown voltage : VCBO = 180V, VCEO = 160V • Low collector saturation voltage : VCE(sat)=0.5V(MAX.) • Complementary pair with SBT5401F 文件：265.08 Kbytes 页数：4 Pages	KODENSHI 可天士	KODENSHI
SBT5551_1	文件：193.45 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Transistor 文件：193.45 Kbytes 页数：3 Pages	AUK	AUK
SBT5551F	文件：265.08 Kbytes Page：4 Pages	General purpose amplifier 文件：265.08 Kbytes 页数：4 Pages	KODENSHI 可天士	KODENSHI
SBT5551F	文件：192.84 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Transistor 文件：192.84 Kbytes 页数：3 Pages	AUK	AUK
SBT5551F_1	文件：192.84 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Transistor 文件：192.84 Kbytes 页数：3 Pages	AUK	AUK

技术参数

Classifacation：
Single type
VCEO [V]：
160
IC[mA]：
600
hFE_Min：
80
hFE_Max：
250
hFE@ VCE [V]：
5
hFE@ IC[mA]：
10
VCE(sat) [V]_Max：
0.2
VCE(sat) [V]@ IC[mA]：
10
VCE(sat) [V]@ IB[mA]：
1
fT[MHz]@ VCE [V]：
10
fT[MHz]@ IC[mA]：
10

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SBT5551供应商更新时间2025-10-11 14:14:00

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