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SBT5551F	文件：265.08 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Transistor Descriptions •Generalpurposeamplifier •Highvoltageapplication Features •highcollectorbreakdownvoltage: VCBO=180V,VCEO=160V •Lowcollectorsaturationvoltage: VCE(sat)=0.5V(MAX.) •ComplementarypairwithSBT5401F	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SBT5551F	文件：191.38 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Transistor Descriptions •Generalpurposeamplifier •Highvoltageapplication Features •highcollectorbreakdownvoltage:VCBO=180V,VCEO=160V •Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(MAX.) •ComplementarypairwithSBT5401F	AUK AUK corp	AUK
SBT5551F	文件：192.84 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Transistor	AUK AUK corp	AUK
SBT5551F	文件：265.08 Kbytes Page：4 Pages	General purpose amplifier	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SBT5551F_1	文件：192.84 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Transistor	AUK AUK corp	AUK
SMBT5551	文件：551.45 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneral-PurposeAmplifier	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
S-MMBT5551	文件：586.76 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageTransistors	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
SMMBT5551L	文件：183.57 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageTransistors HighVoltageTransistors NPNSilicon Features •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SPD5551	文件：156.35 Kbytes Page：2 Pages	STANDARDRECOVERYRECTIFIER	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SPD5551	文件：99.43 Kbytes Page：2 Pages	5AMPS,200thru1000VOLTS2關secSTANDARDRECOVERYRECTIFIER	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI

详细参数

型号：
SBT5551F
制造商：
AUK
制造商全称：
AUK corp
功能描述：
NPN Silicon Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SBT5551F供应商更新时间2025-7-23 16:20:00

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