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SPD5551SMSTX	文件：99.43 Kbytes Page：2 Pages	5AMPS,200thru1000VOLTS2關secSTANDARDRECOVERYRECTIFIER	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
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SS5551	文件：42.01 Kbytes Page：3 Pages	HIGHCURRENTAXIALLEADRECTIFIERS	SENSITRON SENSITRON SEMICONDUCTOR	SENSITRON
SS5551US	文件：42.01 Kbytes Page：3 Pages	HIGHCURRENTAXIALLEADRECTIFIERS	SENSITRON SENSITRON SEMICONDUCTOR	SENSITRON
STC5551F	文件：322.76 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconTransistor	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
STC5551F	文件：322.76 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconTransistor Descriptions •Generalpurposeamplifier •Highvoltageapplication Features •Highcollectorbreakdownvoltage :VCBO=180V,VCEO=160V •Lowcollectorsaturationvoltage :VCE(sat)=0.5V(MAX.)	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SXT5551	文件：356.54 Kbytes Page：2 Pages	HighVoltageTransistors	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
SZ5551	文件：47.64 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES VZ:3.9-200Volts PD:3Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.9to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC

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详细参数

型号：
PMBT5551
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN HV 300mA 160V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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