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PZT5551	文件：222.87 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR FEATURES * High Collector-Emitter Voltage: VCEO=160V * High current gain 文件：222.87 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
PZT5551	文件：433.17 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic-Encapsulate Transistors Features • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • High Voltage Amplifier Application • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moisure Sensitivity Level 1 • Halogen free available upon request by adding suffix -HF • Marking: Z 文件：433.17 Kbytes 页数：2 Pages	MCC	MCC
PZT5551	文件：443.53 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor P/b Lead(Pb)-Free 文件：443.53 Kbytes 页数：4 Pages	WEITRON	WEITRON
PZT5551	文件：352 Kbytes Page：4 Pages	丝印：5551；Package：SOT-223；NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor P/b Lead(Pb)-Free 文件：352 Kbytes 页数：4 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
PZT5551	文件：199.27 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR 文件：199.27 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
PZT5551	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率三极管	YJ 益嘉源	YJ
PZT5551	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Transistors	RM TECHNOLOGY 瑞美科	RM TECHNOLOGY
PZT5551	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bipolar Transistor	UTC 友顺	UTC
PZT5551-A-AA3-B-R	文件：222.87 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR FEATURES * High Collector-Emitter Voltage: VCEO=160V * High current gain 文件：222.87 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
PZT5551-A-AA3-C-R	文件：222.87 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR FEATURES * High Collector-Emitter Voltage: VCEO=160V * High current gain 文件：222.87 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC

技术参数

Product Polarity：
NPN
SMD/ThroHole：
SMD
VCEO (V)：
160
VCBO (V)：
180
VEBO (V)：
6.0
IC (A)：
0.6
PC (W)：
1.0
HFE：
80
@IC (mA)：
1.0
@VCE (V)：
5.0
ICBO：
50nA
IEBO：
50nA
VCE(sat) (V)：
0.15
VBE(sat) (V)：
1.0
FT (MHz)：
300
Package Qty：
Tape&Reel
FIT：
48; Tj=100℃

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多PZT5551供应商更新时间2025-12-24 14:14:00

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