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PVA3055NS	文件：68.02 Kbytes Page：6 Pages	MicroelectronicPowerICHEXFETPowerMOSFETPhotovoltaicRelaySingle-Pole,Normally-Open0-300VAC/DC,50mA	IRF International Rectifier	IRF
PVA3055NSPBF	文件：1.0018 Mbytes Page：6 Pages	MicroelectronicPowerICHEXFET짰PowerMOSFETPhotovoltaicRelaySingle-Pole,Normally-Open0-300VAC/DC,50mA	IRF International Rectifier	IRF
QPA3055P	文件：821.13 Kbytes Page：26 Pages	100WS-BandGaNPowerAmplifier	QORVO Qorvo, Inc	QORVO
RCA3055	文件：266.67 Kbytes Page：5 Pages	SILICONN-P-NVERSAWATTTRANSISTORS SILICONN-P-NVERSAWATTTRANSISTORS DesignedforMedium-PowerLinearandSwitchingServiceinConsumer,Automotive,andIndustrialApplications	GESS GE Solid State	GESS
RCA3055	文件：248.63 Kbytes Page：2 Pages	SILICONN-P-NVERSAWATTTRANSISTORS High-Current,SiliconN-P-NVERSAWATTTransistors	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
RFD3055	文件：82.17 Kbytes Page：8 Pages	12A,60V,0.150Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchas	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RFD3055	文件：416.36 Kbytes Page：8 Pages	11A,60V,0.107Ohm,LogicLevel,N-ChannelPowerMOSFETs TheseN-Channelenhancement-modepowerMOSFETsaremanufacturedusingthelatestmanufacturingprocesstechnology.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapp	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
RFD3055	文件：418.34 Kbytes Page：8 Pages	12A,60V,0.150Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstanda specifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuch	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
RFD3055	文件：118.15 Kbytes Page：8 Pages	12A,60V,AvalancheRated,N-ChannelEnhancement-ModePowerMOSFETs(MegaFETs) Description TheRFD3055,RFD3055SMandRFP3055N-ChannelpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuitsgivesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedfor	HARRIS Harris Corporation	HARRIS
RFD3055LE	文件：416.36 Kbytes Page：8 Pages	11A,60V,0.107Ohm,LogicLevel,N-ChannelPowerMOSFETs TheseN-Channelenhancement-modepowerMOSFETsaremanufacturedusingthelatestmanufacturingprocesstechnology.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapp	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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详细参数

型号：
PHD3055L
制造商：
PHILIPS
制造商全称：
NXP Semiconductors
功能描述：
PowerMOS transistor Logic level FET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多PHD3055L供应商更新时间2025-5-23 10:32:00

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