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PHD63NQ03LT	文件：299.57 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 69A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 13mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：299.57 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
PHD63NQ03LT	文件：104.28 Kbytes Page：14 Pages	TrenchMOS logic level FET 文件：104.28 Kbytes 页数：14 Pages	PHI PHI	PHI
PHD63NQ03LT	文件：300 bytes Page：1 Pages	TrenchMOS logic level FET	恩XP	恩XP
PHP63NQ03LT	文件：373.03 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 68.9A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 17.7mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：373.03 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
PHP63NQ03LT	文件：104.28 Kbytes Page：14 Pages	TrenchMOS logic level FET 文件：104.28 Kbytes 页数：14 Pages	PHI PHI	PHI

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