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PHD63NQ03LT	文件：299.57 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 69A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 13mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：299.57 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
PHD63NQ03LT	文件：104.28 Kbytes Page：14 Pages	TrenchMOS logic level FET 文件：104.28 Kbytes 页数：14 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PHD63NQ03LT	文件：300 bytes Page：1 Pages	TrenchMOS logic level FET	恩XP 恩智浦	恩XP
PHP63NQ03LT	文件：373.03 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 68.9A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 17.7mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：373.03 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
PHP63NQ03LT	文件：104.28 Kbytes Page：14 Pages	TrenchMOS logic level FET 文件：104.28 Kbytes 页数：14 Pages	PHI 飞利浦	PHI

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深圳市澳亿芯电子科技有限公司	PHD63NQ03LT	PHI	1709+	TO-252/D-	32500	普通	询价
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深圳市河锋鑫科技有限公司	PHD63NQ03LT	恩XP	22+	TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC	9000	原厂渠道,现货配单	询价

更多PHD63NQ03LT供应商更新时间2025-10-10 9:05:00