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PHP63NQ03LT	文件：373.03 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 68.9A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 17.7mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：373.03 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
PHP63NQ03LT	文件：104.28 Kbytes Page：14 Pages	TrenchMOS logic level FET 文件：104.28 Kbytes 页数：14 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PHP63NQ03LT,127	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 30V 68.9A TO220AB	恩XP	恩XP
PHB63NQ03LT	文件：345.44 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 69A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 13mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：345.44 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
PHB63NQ03LT	文件：345.54 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 66A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 25V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 11mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：345.54 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
PHB63NQ03LT	文件：104.28 Kbytes Page：14 Pages	TrenchMOS logic level FET 文件：104.28 Kbytes 页数：14 Pages	PHI 飞利浦	PHI

详细参数

型号：
PHP63NQ03LT
功能描述：
MOSFET RAIL PWR-MOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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