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PHD63NQ03LT中文资料TrenchMOS logic level FET数据手册恩XP规格书

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厂商型号

PHD63NQ03LT

功能描述

TrenchMOS logic level FET

制造商

恩XP 恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-9-22 10:30:00

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技术参数

  • 型号:

    PHD63NQ03LT

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT TAPE13 PWR-MOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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