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PHD38N02LT中文资料PHD38N02LT - N-channel TrenchMOS logic level FET 数据手册Nexperia规格书
PHD38N02LT规格书详情
描述 Description
N-channel TrenchMOS logic level FET - Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.
特性 Features
·Low conduction losses due to low on-state resistance
·Suitable for use with 3.3 V microprocessors due to 2.5 V gate drive
应用 Application
·Linear regulator for DDR memory
技术参数
- 制造商编号
：PHD38N02LT
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DPAK
- Product status
：Production
- Channel type
：N
- Number of transistors
：1
- V_DS [max] (V)
：20
- R_DSon [max] @ V_GS = 5 V (mΩ)
：16
- T_j [max] (°C)
：175
- I_D [max] (A)
：44.7
- Q_GD [typ] (nC)
：4.2
- P_tot [max] (W)
：57.6
- V_GSth [typ] (V)
：1
- Automotive qualified
：N
- C_iss [typ] (pF)
：800
- C_oss [typ] (pF)
：260
- Date
：2010-09-02
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
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恩XP |
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