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PHD20N06T中文资料PHD20N06T - N-channel TrenchMOS standard level FET 数据手册Nexperia规格书

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厂商型号

PHD20N06T

功能描述

PHD20N06T - N-channel TrenchMOS standard level FET

制造商

Nexperia Nexperia B.V.

中文名称

安世 安世半导体(中国)有限公司

数据手册

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更新时间

2025-11-25 20:00:00

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PHD20N06T规格书详情

描述 Description

N-channel TrenchMOS standard level FET - Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.

特性 Features

·Low conduction losses due to low on-state resistance
·Suitable for high frequency applications due to fast switching characteristics

应用 Application

·DC-to-DC convertors
·General purpose switching
·Switched-mode power supplies

技术参数

  • 制造商编号

    :PHD20N06T

  • 生产厂家

    :Nexperia

  • Package name

    :DPAK

  • Product status

    :Production

  • Channel type

    :N

  • Number of transistors

    :1

  • V_DS [max] (V)

    :55

  • R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)

    :77

  • T_j [max] (°C)

    :175

  • I_D [max] (A)

    :18

  • Q_GD [typ] (nC)

    :6

  • Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 10 V (nC)

    :11

  • P_tot [max] (W)

    :51

  • Q_r [typ] (nC)

    :120

  • V_GSth [typ] (V)

    :3

  • Automotive qualified

    :N

  • C_iss [typ] (pF)

    :316

  • C_oss [typ] (pF)

    :92

  • Date

    :2010-11-13

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