PHD13005中文资料High voltage bipolar transistors for lighting, SMPS and industrial applications数据手册WeEn规格书

描述 Description

High voltage, high speed, planar passivated NPN power switching transistor with integrated anti-parallel E-C diode in a SOT78 plastic package.

特性 Features

• Fast switching
• High voltage capability
• Integrated anti-parallel E-C diode
• Low thermal resistance
• Very low switching and conduction losses

应用 Application

• Integrated fluorescent lamp ballasts e.g. high power cluster lamps
• Low Voltage Tungsten Halogen transformers
• Remote fluorescent lamp ballasts
• Self Oscillating Power Supplies

简介

PHD13005属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的PHD13005晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。