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PHD14NQ20T数据手册恩XP中文资料规格书

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厂商型号

PHD14NQ20T

功能描述

TrenchMOS standard level FET

制造商

恩XP 恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-8-7 22:30:00

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技术参数

  • 型号:

    PHD14NQ20T

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT TAPE13 MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

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