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PHD55N03LT中文资料N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET数据手册恩XP规格书
技术参数
- 型号：
PHD55N03LT
- 功能描述：
MOSFET TAPE13 MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
23+ |
TO252 |
65480 |
询价 | |||
PHI |
25+ |
TO-252 |
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PHI |
23+ |
TO-252 |
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PHI |
24+ |
TO-252 |
27500 |
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PHI |
24+ |
SOT-252 |
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恩XP |
23+ |
TO-252 |
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PHI |
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TO252 |
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PHI |
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TO-252 |
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VBSEMI/台湾微碧 |
23+ |
TO252 |
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询价 | ||
PHI |
23+ |
SOT252 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 |
