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PHD3055L	文件：55.33 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOS transistor Logic level FET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemountingfeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.Intend	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHD3055L	文件：298.99 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.18Ω(Max)@VGS=5V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHP3055	文件：103.08 Kbytes Page：10 Pages	N-channelTrenchMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmode,field-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES •’Trench’technology •Lowon-stateresistance •Fastswitching	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHP3055E	文件：103.08 Kbytes Page：10 Pages	N-channelTrenchMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmode,field-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES •’Trench’technology •Lowon-stateresistance •Fastswitching	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHP3055E	文件：370.98 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.15Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHP3055L	文件：52.23 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopefeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.IntendedforuseinSwitchedModePo	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHP3055L	文件：371.93 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.18Ω(Max)@VGS=5V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHX3055E	文件：96.6 Kbytes Page：8 Pages	N-channelTrenchMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmode,field-effectpowertransistorinaplasticenvelopewithanelectricallyisolatedmountingtab.Thedeviceuses’trench’technologytoachievelowon-stateresistance. FEATURES •’Trench’technology •Lowon-stateresistance •Fastswitching •	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHX3055E	文件：318.71 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.15Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHX3055L	文件：56.77 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticfull-packenvelope.Thedevicefeatureshighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.Intendedforus	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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