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SBR13003D	文件：365.71 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageFast-SwitchingNPNPowerTransistor GeneralDescription ThisDeviceisdesignedforhighvoltage,Highspeedswitchingcharacteristicsrequiredsuchaslightingsystem,switchingmodepowersupply. Features ◆VeryHighSwitchingSpeed ◆HighVoltageCapability ◆WideReverseBiasSOA ◆Built-infreewheelingdiode	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
SGM13003A	文件：482.83 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseAmplifierforGNSS GENERALDESCRIPTION TheSGM13003Aisalownoiseamplifier(LNA)for GLONASSGalileo,BeidouandGPSapplications.The devicedelivers17.4dBgainatanextremelylownoise figureof1.00dB.Italsofeatureshighgainandexcellent linearityperformancethatoperatesfrom1160MHzto 1300MHz	SGMICROSG Micro Corp 圣邦股份圣邦微电子（北京）股份有限公司	SGMICRO
SPA13003	文件：283.62 Kbytes Page：4 Pages	NPNTripleDiffusedPlanarSiliconTransistorSwitchingRegulatorApplications NPNTripleDiffusedPlanarSiliconTransistor Features •Highbreakdownvoltage. •High-speedswitching. •WideASO. •AdoptionofMBITprocess.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
ST13003	文件：224.88 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR ■MEDIUMVOLTAGECAPABILITY ■LOWSPREADOFDYNAMICPARAMETERS ■MINIMUMLOT-TO-LOTSPREADFOR RELIABLEOPERATION ■VERYHIGHSWITCHINGSPEED APPLICATIONS: ■ELECTRONICBALLASTSFOR FLUORESCENTLIGHTING ■SWITCHMODEPOWERSUPPLIES DESCRIPTION Thedeviceismanufacturedusinghighvo	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
ST13003	文件：71.28 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION ThedeviceismanufacturedusinghighvoltageMultiEpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandmediumvoltagecapability. ItusesaCellularEmitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingthewideRBSOA. Thedeviceisdesi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
ST13003	文件：160.77 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forpowerswitchingandelectronrectifierapplications. ThetransistorissubdividedintoonegroupaccordingtoitsDCcurrentgain.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
ST13003	文件：246.24 Kbytes Page：10 Pages	Highvoltagefast-switchingNPNpowertransistor Features •Highvoltagecapability •Lowspreadofdynamicparameters •Veryhighswitchingspeed Applications •Electronicballastforfluorescentlighting(CFL) •SMPSforbatterycharger Description Thedeviceismanufacturedusinghighvoltage multi-epitaxialplanartechnologyforhig	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
ST13003D-K	文件：105.81 Kbytes Page：8 Pages	Highvoltagefast-switchingNPNpowertransistor Description Thedeviceismanufacturedusinghighvoltagemulti-epitaxialplanartechnologyforhighswitchingspeedsandmediumvoltagecapability.ItusesaCellularEmitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingthewideRBSOA.Thedeviceisdesi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
ST13003DN	文件：168.79 Kbytes Page：8 Pages	Highvoltagefast-switchingNPNpowertransistor Description Thedeviceismanufacturedusinghighvoltagemultiepitaxialplanartechnologyforhighswitchingspeedsandhighvoltagecapability.ItusesacellularemitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingthewideRBSOA. Features ■Highvolt	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
ST13003K	文件：267.77 Kbytes Page：10 Pages	Highvoltagefast-switchingNPNpowertransistor Description Thedeviceismanufacturedusinghighvoltagemulti-epitaxialplanartechnologyforhighswitchingspeedsandhighvoltagecapability.ItusesacellularemitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingthewideRBSOA. Features ■H	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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详细参数

型号：
PHD13003C
功能描述：
两极晶体管 - BJT H-VOLT PWR BPT 700V 2 A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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