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ST13003D-K	文件：105.81 Kbytes Page：8 Pages	High voltage fast-switching NPN power transistor Description The device is manufactured using high voltage multi-epitaxial planar technology for high switching speeds and medium voltage capability. It uses a Cellular Emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA. The device is desi 文件：105.81 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
ST13003D-K	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-225AA，TO-126-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 400V 1.5A SOT32-3	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
ST13003DN	文件：168.79 Kbytes Page：8 Pages	High voltage fast-switching NPN power transistor Description The device is manufactured using high voltage multi epitaxial planar technology for high switching speeds and high voltage capability. It uses a cellular emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA. Features ■ High volt 文件：168.79 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
ST13003K	文件：267.77 Kbytes Page：10 Pages	High voltage fast-switching NPN power transistor Description The device is manufactured using high voltage multi-epitaxial planar technology for high switching speeds and high voltage capability. It uses a cellular emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA. Features ■ H 文件：267.77 Kbytes 页数：10 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
ST13003-K	文件：274.73 Kbytes Page：10 Pages	High voltage fast-switching NPN power transistor Description The device is manufactured using high voltage multi-epitaxial planar technology for high switching speeds and high voltage capability. It uses a cellular emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA. Features ■ H 文件：274.73 Kbytes 页数：10 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
ST13003D-K
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 500mA，1.5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
5 @ 1A，2V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
SOT-32-3
描述：
TRANS NPN 400V 1.5A SOT32-3

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