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ST13003DN分立半导体产品晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

ST13003DN
厂商型号

ST13003DN

参数属性

ST13003DN 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 400V 1A SOT32-3

功能描述

High voltage fast-switching NPN power transistor
TRANS NPN 400V 1A SOT32-3

文件大小

168.79 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体(ST)集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-27 18:09:00

ST13003DN规格书详情

Description

The device is manufactured using high voltage multi epitaxial planar technology for high switching speeds and high voltage capability. It uses a cellular emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA.

Features

■ High voltage capability

■ Low spread of dynamic parameters

■ Very high switching speed

■ Integrated free-wheeling diode

Application

■ Compact fluorescent lamps (CFLs)

ST13003DN属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。意法半导体(ST)集团制造生产的ST13003DN晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

产品属性

  • 产品编号:

    ST13003DN

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    剪切带(CT)带盒(TB)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.2V @ 330mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    6 @ 500mA,2V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-32-3

  • 描述:

    TRANS NPN 400V 1A SOT32-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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