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PHD96NQ03LT	文件：331.74 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET 1.1Generaldescription LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein computing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandbenefits Low	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PHD96NQ03LT	文件：298.96 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHD96NQ03LT	文件：298.92 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHD97NQ03LT	文件：678.24 Kbytes Page：12 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET 1.1Generaldescription LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein computing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandbenefits Fast	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PHD98N03LT	文件：287.34 Kbytes Page：14 Pages	N-channel enhancement mode field-effect transistor Description N-channellogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Productavailability: PHP98N03LTinSOT78(TO-220AB) PHB98N03LTinSOT404(D2-PAK) PHD98N03LTinSOT428(D-PAK). Features ■Lowon-stateresistance ■Fastswitching.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHD98N03LT	文件：299.09 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=6mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHD9NQ20T	文件：110.93 Kbytes Page：12 Pages	N-channel TrenchMOS transistor VDSS=200V ID=8.7A RDS(ON)≤400mΩ GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistorusingTrenchtechnology,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsa	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHD9NQ20T	文件：769.6 Kbytes Page：12 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET 1.1Generaldescription StandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein computing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandbenefits H	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PHD9NQ20T	文件：299.79 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHDC3120DEFR	文件：1.91059 Mbytes Page：36 Pages	HDC3120 High-Accuracy (0.5%RH, 0.2°C) Analog Humidity and Temperature Sensor, With Low Long-Term Drift (0.19%RH/yr), and 4s RH% Response 1Features •Relativehumidity(RH)sensor: –Operatingrange:0%to100%RH –Accuracy:±0.5%RHtypical –Long-termdrift:0.19%RH/yr –RatiometricAnalogOutputtorepresentRH •Temperaturesensor: –Operatingrange:–40°Cto125°C –Accuracy:±0.2°Ctypical –Ratiometri	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

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技术参数

Package name：
DPAK
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
30
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
5.5
R_DSon [max] @ V_GS = 5 V (mΩ)：
7.5
T_j [max] (°C)：
175
I_D [max] (A)：
75
Q_GD [typ] (nC)：
8
P_tot [max] (W)：
166
Q_r [typ] (nC)：
33
V_GSth [typ] (V)：
1.9
Automotive qualified：
N
C_iss [typ] (pF)：
2180
C_oss [typ] (pF)：
600
Date：
2011-01-05

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市星佑电子有限公司	PHD3055E	PHI	05+	原厂原装	5051	只做全新原装真实现货供应	询价
深圳市勤思达科技有限公司	PHD108NQ03LT	恩XP	1415+	TO-252	28500	全新原装正品,优势热卖	询价
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