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PHD82NQ03LT中文资料飞利浦数据手册PDF规格书

PHD82NQ03LT
厂商型号

PHD82NQ03LT

功能描述

TrenchMOS??logic level FET

文件大小

274.03 Kbytes

页面数量

14

生产厂商 Philips Semiconductors
企业简称

PHI飞利浦

中文名称

荷兰皇家飞利浦

数据手册

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更新时间

2025-6-30 17:27:00

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PHD82NQ03LT规格书详情

Description

N-channel logic level field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology.

Product availability:

PHP82NQ03LT in SOT78 (TO-220AB)

PHB82NQ03LT in SOT404 (D2-PAK)

PHD82NQ03LT in SOT428 (D-PAK).

Features

■ Logic level compatible

■ Low gate charge

Applications

■ DC to DC converters

■ Switched mode power supplies

产品属性

  • 型号:

    PHD82NQ03LT

  • 功能描述:

    MOSFET TAPE13 PWR-MOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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