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PHD71NQ03LT中文资料恩XP数据手册PDF规格书

PHD71NQ03LT
厂商型号

PHD71NQ03LT

功能描述

N-channel TrenchMOS logic level FET

文件大小

220.18 Kbytes

页面数量

13

生产厂商 未知制造商
企业简称

恩XP

中文名称

未知制造商

数据手册

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更新时间

2025-6-29 8:31:00

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PHD71NQ03LT规格书详情

General description

Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.

Features and benefits

■ Simple gate drive required due to low gate charge

■ Suitable for logic level gate drive sources

Applications

■ DC-to-DC convertors

■ Switched-mode power supplies

产品属性

  • 型号:

    PHD71NQ03LT

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT TAPE13 PWR-MOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
17+
NA
6200
100%原装正品现货
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NEXPERIA/安世
24+
SOT428
100000
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正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
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恩XP
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Nexperi
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