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PHD69N03LT	文件：108.44 Kbytes Page：11 Pages	N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES •’Trench’technology •Verylowon-stateresistance •Fastswitching •Lowthermalresistance •Logiclevelcompatible Appl	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHD69N03LT	文件：299.42 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=69A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=14mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHD6N10E	文件：70.04 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOS transistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemountingfeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.Intendedforusei	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHD6N10E	文件：298.59 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.54Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHD71NQ03LT	文件：265.02 Kbytes Page：14 Pages	TrenchMOS logic level FET Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™technology. Productavailability: PHP71NQ03LTinSOT78(TO-220AB) PHB71NQ03LTinSOT404(D2-PAK) PHD71NQ03LTinSOT428(D-PAK). Features ■Logiclevelcompatible ■Lowgatecha	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHD71NQ03LT	文件：775.19 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET 1.1Generaldescription LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein computing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandbenefits Simp	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PHD71NQ03LT	文件：1.07702 Mbytes Page：5 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS=30V,ID=150A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
PHD71NQ03LT	文件：298.76 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=10mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHD77NQ03LT	文件：299.06 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=9.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHD77NQ03T	文件：222.01 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS FET 1.1Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplasticpackageusing TrenchMOStechnology. 1.2Features 1.3Applications nFastswitchingnLowthermalresistance nDC-to-DCconvertersnComputermotherboard	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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技术参数

Package name：
DPAK
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
30
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
5.5
R_DSon [max] @ V_GS = 5 V (mΩ)：
7.5
T_j [max] (°C)：
175
I_D [max] (A)：
75
Q_GD [typ] (nC)：
8
P_tot [max] (W)：
166
Q_r [typ] (nC)：
33
V_GSth [typ] (V)：
1.9
Automotive qualified：
N
C_iss [typ] (pF)：
2180
C_oss [typ] (pF)：
600
Date：
2011-01-05

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市星佑电子有限公司	PHD3055E	PHI	05+	原厂原装	5051	只做全新原装真实现货供应	询价
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