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PHD71NQ03LT规格书详情
1.1 General description
Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic
package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in
computing, communications, consumer and industrial applications only.
1.2 Features and benefits
Simple gate drive required due to low
gate charge
Suitable for logic level gate drive
sources
1.3 Applications
DC-to-DC convertors
Switched-mode power supplies
产品属性
- 型号：
PHD71NQ03LT
- 功能描述：
两极晶体管 - BJT TAPE13 PWR-MOS
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
- VCBO：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO：
- 6 V
- 增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
- Min：
100 A
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
NA/ |
7350 |
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恩XP |
24+ |
NA/ |
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Nexperi |
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恩XP |
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恩XP |
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恩XP |
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恩XP |
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恩XP |
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SOT-252 |
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