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PHD77NQ03T中文资料安世数据手册PDF规格书

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厂商型号

PHD77NQ03T

功能描述

N-channel TrenchMOS FET

文件大小

222.01 Kbytes

页面数量

14

生产厂商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名称

安世 安世半导体(中国)有限公司

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数据手册

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更新时间

2025-10-4 23:00:00

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PHD77NQ03T规格书详情

1.1 General description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using

TrenchMOS technology.

1.2 Features

1.3 Applications

n Fast switching n Low thermal resistance

n DC-to-DC converters n Computer motherboard

产品属性

  • 型号:

    PHD77NQ03T

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT Trans MOSFET N-CH 25V 75A 3-Pin

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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