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PHD3N20L	文件：56.85 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOS transistor Logic level FET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemountingfeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.Intend	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHD3N20L	文件：298.09 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.5Ω(Max)@VGS=5V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHD3N40E	文件：94.22 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOS transistors Avalanche energy rated GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHP3N40Eissupplied	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHD3N40E	文件：298.19 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHD44N06LT	文件：80.86 Kbytes Page：10 Pages	TrenchMOS transistor Logic level FET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmode,logiclevel,field-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology.Thedevicehasverylowon-stateresistance.Itisintendedforuseindctodcconvertersandgeneralpurposeswitchingapplications. FEATURES •’Trench’	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHD44N06LT	文件：250.16 Kbytes Page：2 Pages	Marking：DPAK；Package：TO-252；Isc N-Channel MOSFET Transistor •FEATURES •WithTo-252(DPAK)package •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHD45N03LT	文件：298.75 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=21mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHD45N03LTA	文件：298.65 Kbytes Page：14 Pages	N-channel enhancement mode field-effect transistor Description N-channellogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Productavailability: PHP45N03LTAinSOT78(TO-220AB) PHB45N03LTAinSOT404(D2-PAK) PHD45N03LTAinSOT428(D-PAK). Features ■Lowon-stateresistance ■Fastswit	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHD50N03LT	文件：108.76 Kbytes Page：11 Pages	N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES •’Trench’technology •Verylowon-stateresistance •Fastswitching •Highthermalcyclingperformance •Lowthermalresistance •Logiclevel	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHD50N03LT	文件：298.84 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=48A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=18mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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技术参数

Package name：
DPAK
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
30
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
5.5
R_DSon [max] @ V_GS = 5 V (mΩ)：
7.5
T_j [max] (°C)：
175
I_D [max] (A)：
75
Q_GD [typ] (nC)：
8
P_tot [max] (W)：
166
Q_r [typ] (nC)：
33
V_GSth [typ] (V)：
1.9
Automotive qualified：
N
C_iss [typ] (pF)：
2180
C_oss [typ] (pF)：
600
Date：
2011-01-05

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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