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PD85035STR-E中文资料射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans数据手册ST规格书
| 厂商型号 |
PD85035STR-E |
| 参数属性 | PD85035STR-E 封装/外壳为PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线）；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF |
| 功能描述 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans |
| 封装外壳 | PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线） |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-27 9:56:00 |
| 人工找货 | PD85035STR-E价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PD85035STR-E规格书详情
简介
PD85035STR-E属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的PD85035STR-E晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 产品编号：
PD85035STR-E
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
LDMOS
- 频率：
870MHz
- 增益：
17dB
- 额定电流（安培）：
8A
- 功率 - 输出：
15W
- 封装/外壳：
PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线）
- 供应商器件封装：
PowerSO-10RF（直引线）
- 描述：
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
2511 |
原厂原封 |
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ST/意法半导体 |
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STMicroelectronics |
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PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 |
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ST(意法半导体) |
24+ |
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