首页>PD85035STR1-E>规格书详情
PD85035STR1-E数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF

厂商型号 |
PD85035STR1-E |
参数属性 | PD85035STR1-E 包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF |
功能描述 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Transistor LdmoST N-ch Plastic |
制造商 | ST STMicroelectronics |
中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-9 15:09:00 |
人工找货 | PD85035STR1-E价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
PD85035STR1-E规格书详情
简介
PD85035STR1-E属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的PD85035STR1-E晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 产品编号:
PD85035STR1-E
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
LDMOS
- 频率:
870MHz
- 增益:
17dB
- 额定电流(安培):
8A
- 功率 - 输出:
15W
- 供应商器件封装:
PowerSO-10RF(直引线)
- 描述:
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
22+ |
NA |
10000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
PowerSO-10RF(直引线) |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
22+ |
10RF-Straight-4 |
12000 |
只有原装,原装,假一罚十 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
24+ |
10RF-Straight-4 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
10RF-Straight-4 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源! |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
PowerSO-10RF(直引线) |
10000 |
只做全新原装,实单来 |
询价 | ||
ST |
2025+ |
PowerSO-10RF |
16000 |
原装优势绝对有货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2023+ |
10RF-Straight-4 |
6000 |
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供 |
询价 |