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PD85035STR1-E数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF

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厂商型号

PD85035STR1-E

参数属性

PD85035STR1-E 包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF

功能描述

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Transistor LdmoST N-ch Plastic
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-9 15:09:00

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PD85035STR1-E规格书详情

简介

PD85035STR1-E属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的PD85035STR1-E晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    PD85035STR1-E

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    870MHz

  • 增益:

    17dB

  • 额定电流(安培):

    8A

  • 功率 - 输出:

    15W

  • 供应商器件封装:

    PowerSO-10RF(直引线)

  • 描述:

    TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
22+
NA
10000
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STMicroelectronics
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PowerSO-10RF(直引线)
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