首页>PD85035A-E>规格书详情
PD85035A-E数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF
| 厂商型号 |
PD85035A-E |
| 参数属性 | PD85035A-E 封装/外壳为PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：FET RF 40V 870MHZ POWERSO10 |
| 功能描述 | FET RF 40V 870MHZ POWERSO10 |
| 封装外壳 | PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线） |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-9 12:00:00 |
| 人工找货 | PD85035A-E价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PD85035A-E规格书详情
简介
PD85035A-E属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的PD85035A-E晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 制造商编号
：PD85035A-E
- 生产厂家
：ST
- 频率
：870MHz
- 增益
：15dB ~ 17dB
- 电压 - 测试
：13.6V
- 额定电流
：8A
- 噪声系数
：-
- 电流 - 测试
：350mA
- 功率 - 输出
：35W
- 电压 - 额定
：40V
- 封装/外壳
：PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
- 供应商器件封装
：PowerSO-10RF（成形引线）
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
2511 |
8484 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | |||
STMicroelectronics |
23+ |
PowerSO-10RF |
50000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
PowerSO-10RF |
32360 |
ST/意法全新特价PD85035A-E即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
STMICROELECTRONICS |
23+ |
POWERSO-10RF |
95488 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
原装 |
1923+ |
PowerSO-1 |
6800 |
只做全新原装公司现货价格优惠可谈 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
ST |
2447 |
standard |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
ST |
2025+ |
原厂原装 |
16000 |
原装优势绝对有货 |
询价 | ||
ST |
22+ |
M243 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
22+ |
NA |
3000 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 |
