PD85006L-E数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF

特性 Features

• In compliance with the 2002/95/EC european directive
• Excellent thermal stability
• POUT = 6 W with 15 dB gain @ 870 MHz / 13.6 V
• Common source configuration
• ESD protection
• Plastic package

简介

PD85006L-E属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的PD85006L-E晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。