PD85006-E中文资料6W 13.6V 870MHz LDMOS in PowerSO-10RF plastic package数据手册ST规格书
| 厂商型号 |
PD85006-E |
| 参数属性 | PD85006-E 封装/外壳为PowerSO-10 裸露底部焊盘；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：FET RF 40V 870MHZ PWRSO-10RF |
| 功能描述 | 6W 13.6V 870MHz LDMOS in PowerSO-10RF plastic package |
| 封装外壳 | PowerSO-10 裸露底部焊盘 |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 20:00:00 |
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PD85006-E规格书详情
简介
PD85006-E属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的PD85006-E晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 制造商编号
：PD85006-E
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerSO-10RF (formed lead)
- Marketing Status
：Active
- Grade
：Industrial
- Frequency_nom(MHz)
：870
- Output Power_nom(W)
：6
- Power Gain_nom(dB)
：15
- Transistor Supply Voltage_nom(V)
：13.6
- Efficiency_nom(%)
：63
- R_th(J-C)_max
：2.6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
25+ |
SO-10 |
65248 |
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询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
POWERSO-10 |
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ST |
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PowerSO-10 |
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STM |
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SMD |
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原厂封装 |
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ST |
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原厂封装 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
10RF-Formed-4 |
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ST/意法 |
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POWERSO-10 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
10RF-Formed-4 |
8860 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
10RF-Formed-4 |
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