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PD85006-E 分立半导体产品晶体管 - FET,MOSFET - 射频 STMICROELECTRONICS/意法半导体

PD85006-EPD85006-E参考图片

图片仅供参考,请参阅产品规格书

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1+
  • 厂家型号:

    PD85006-E

  • 产品分类:

    芯片

  • 生产厂商:

    ST/意法

  • 库存数量:

    32360

  • 产品封装:

    POWERSO-10

  • 生产批号:

    25+

  • 库存类型:

    热卖库存

  • 更新时间:

    2025-7-30 19:27:00

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  • 规格书下载

原厂料号:PD85006-E品牌:ST/意法

ST/意法全新特价PD85006-E即刻询购立享优惠#长期有货

PD85006-E是分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。制造商ST/意法/STMicroelectronics生产封装POWERSO-10/PowerSO-10 裸露底部焊盘的PD85006-E晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

  • 芯片型号:

    PD85006-E

  • 规格书:

    下载

  • 企业简称:

    STMICROELECTRONICS【意法半导体】详情

  • 厂商全称:

    STMicroelectronics

  • 中文名称:

    意法半导体集团

  • 内容页数:

    17 页

  • 文件大小:

    274.49 kb

  • 资料说明:

    Excellent thermal stability

产品属性

更多
  • 类型

    描述

  • 型号

    :PD85006-E

  • Package

    :PowerSO-10RF (formed lead)

  • Marketing Status

    :Active

  • Grade

    :Industrial

  • Frequency_nom(MHz)

    :870

  • Output Power_nom(W)

    :6

  • Power Gain_nom(dB)

    :15

  • Transistor Supply Voltage_nom(V)

    :13.6

  • Efficiency_nom(%)

    :63

  • R_th(J-C)_max

    :2.6

供应商

  • 企业:

    中天科工半导体(深圳)有限公司

  • 商铺:

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    李先生

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