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PD85035S-E数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF
| 厂商型号 |
PD85035S-E |
| 参数属性 | PD85035S-E 封装/外壳为PowerSO-10 裸露底部焊盘；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：FET RF 40V 870MHZ |
| 功能描述 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans |
| 封装外壳 | PowerSO-10 裸露底部焊盘 |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-9 15:01:00 |
| 人工找货 | PD85035S-E价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PD85035S-E规格书详情
简介
PD85035S-E属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的PD85035S-E晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 产品编号：
PD85035S-E
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
LDMOS
- 频率：
870MHz
- 增益：
17dB
- 额定电流（安培）：
8A
- 功率 - 输出：
15W
- 封装/外壳：
PowerSO-10 裸露底部焊盘
- 供应商器件封装：
PowerSO-10RF（直引线）
- 描述：
FET RF 40V 870MHZ
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
2447 |
standard |
100500 |
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询价 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
PowerSO-10RF(直引线) |
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ST/意法半导体 |
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ST/意法半导体 |
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ST/意法半导体 |
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/ |
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ST/意法半导体 |
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ST |
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