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PD85025TR-E中文资料射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans数据手册ST规格书
| 厂商型号 |
PD85025TR-E |
| 参数属性 | PD85025TR-E 封装/外壳为PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF |
| 功能描述 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans |
| 封装外壳 | PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线） |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 22:59:00 |
| 人工找货 | PD85025TR-E价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PD85025TR-E规格书详情
简介
PD85025TR-E属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的PD85025TR-E晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 产品编号：
PD85025TR-E
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
LDMOS
- 频率：
870MHz
- 增益：
17.3dB
- 额定电流（安培）：
7A
- 功率 - 输出：
10W
- 封装/外壳：
PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
- 供应商器件封装：
PowerSO-10RF（成形引线）
- 描述：
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
STMicroelectronics |
23+ |
PowerSO-10RF |
50000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
ST/意法 |
2517+ |
PowerSO-10RF |
8850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
ST |
2025+ |
PowerSO-10RF |
16000 |
原装优势绝对有货 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
ST |
23+ |
原厂原封 |
16900 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
STMicroelectronics |
25+ |
PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
PowerSO-10RF-Formed- |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ST |
22+ |
PowerSO10RF (Formed Lead) |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 |
