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PD55015S	文件：120.19 Kbytes Page：10 Pages	RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY DESCRIPTION ThePD55015isacommonsourceN-Channel,enhancement-mode,lateralField-EffectRFpowertransistor.Itisdesignedforhighgain,broadbandcommercialandindustrialapplications.Itoperatesat12Vincommonsourcemodeatfrequenciesofupto1GHz.PD55015boaststheexcellentga	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
PD55015S-E	文件：419.96 Kbytes Page：27 Pages	RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs Description ThePD55015isacommonsourceN-Channel,enhancement-modelateralField-EffectRFpowertransistor.Itisdesignedforhighgain,broadbandcommercialandindustrialapplications.Itoperatesat12Vincommonsourcemodeatfrequenciesofupto1GHz.PD55015boaststheexcellentg	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
PD55015STR-E	文件：493.87 Kbytes Page：22 Pages	RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs Description ThedeviceisacommonsourceN-channel,enhancement-modelateralfield-effectRFpowertransistor.Itisdesignedforhighgain,broadbandcommercialandindustrialapplications.Itoperatesat12Vincommonsourcemodeatfrequenciesupto1GHz.Thedeviceboaststheexcellentga	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
PD55015STR-E	文件：419.96 Kbytes Page：27 Pages	RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs Description ThePD55015isacommonsourceN-Channel,enhancement-modelateralField-EffectRFpowertransistor.Itisdesignedforhighgain,broadbandcommercialandindustrialapplications.Itoperatesat12Vincommonsourcemodeatfrequenciesofupto1GHz.PD55015boaststheexcellentg	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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PD55015S-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：PowerSO-10 裸露底部焊盘；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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详细参数

型号：
PD55015S
功能描述：
射频MOSFET电源晶体管 N-Ch 40 Volt 5 Amp
RoHS：
否
制造商：
Freescale Semiconductor
配置：
Single
频率：
1800 MHz to 2000 MHz
增益：
27 dB
输出功率：
100 W
封装/箱体：
NI-780-4
封装：
Tray

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