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PD55015S-E	文件：419.96 Kbytes Page：27 Pages	RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs Description ThePD55015isacommonsourceN-Channel,enhancement-modelateralField-EffectRFpowertransistor.Itisdesignedforhighgain,broadbandcommercialandindustrialapplications.Itoperatesat12Vincommonsourcemodeatfrequenciesofupto1GHz.PD55015boaststheexcellentg	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
PD55015S-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：PowerSO-10 裸露底部焊盘类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
CGH55015-AMP	文件：1.22603 Mbytes Page：13 Pages	15W,5500-5800MHz,GaNHEMTforWiMAX	CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商	Cree
CGH55015-AMP	文件：1.69498 Mbytes Page：11 Pages	10W,C-band,Unmatched,GaNHEMT	CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商	Cree
CGH55015-TB	文件：1.69498 Mbytes Page：11 Pages	10W,C-band,Unmatched,GaNHEMT	CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商	Cree
CGH55015-TB	文件：1.22603 Mbytes Page：13 Pages	15W,5500-5800MHz,GaNHEMTforWiMAX	CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商	Cree
EM55015S	文件：100.94 Kbytes Page：5 Pages	TINYCONTROLLER-BASEDSPEECHSYNTHESIZERWITHPWMOUTPUT GENERALDESCRIPTION EM55000Sseriesisaseriesof3to15secondssinglechiphighqualityvoicesynthesizerIC.Itisbasedonatinycontrollerandisverysuitableforlowcosthighqualitytoymarketapplication.	EMCELAN Microelectronics Corp 义隆义隆电子	EMC
EN55015	文件：623.8 Kbytes Page：16 Pages	Acrich2isdesignedtoconnectdirectlytoACsourcevia2wireswithnoAC/DCconverterwhichisessentialforconventionalgenerallighting.	SEOUL Seoul Semiconductor Co., Ltd.	SEOUL
ISL55015	文件：292.73 Kbytes Page：6 Pages	MMICSiliconBipolarBroadbandAmplifier TheISL55015isahighperformancegainblockfeaturinga DarlingtonconfigurationusinghighfTtransistorsandexcellent thermalperformance.TheyareanidealchoiceforDVB-SLNB cablereceiverapplications. Othermembersofthefamilyinclude: •ISL55012andISL55015matcha75Ωsourcet	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
ISL55015	文件：484.14 Kbytes Page：7 Pages	MMICSiliconBipolarBroadbandAmplifier	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
ISL55015	文件：272.51 Kbytes Page：6 Pages	MMICSiliconBipolarBroadbandAmplifier	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
ISL55015IEZ-EVAL	文件：484.14 Kbytes Page：7 Pages	MMICSiliconBipolarBroadbandAmplifier	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
PD55015	文件：120.19 Kbytes Page：10 Pages	RFPOWERTRANSISTORSTheLdmoSTPlasticFAMILY DESCRIPTION ThePD55015isacommonsourceN-Channel,enhancement-mode,lateralField-EffectRFpowertransistor.Itisdesignedforhighgain,broadbandcommercialandindustrialapplications.Itoperatesat12Vincommonsourcemodeatfrequenciesofupto1GHz.PD55015boaststheexcellentga	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
PD55015	文件：288.66 Kbytes Page：5 Pages	HFto2000MHzClassABCommonSource-PowerSO-10RF HFto2000MHzClassABCommonSource-PowerSO-10RF VHF/UHFradioanddigitalcellularBTSapplications HFto2000MHzclassABcommonsource-PowerFLAT VHF/UHFradioapplications HFto2000MHzclassABcommoncource-ceramicpackages UHFTVanddigitalcellularBTSapplications 2to	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
PD55015-E	文件：419.96 Kbytes Page：27 Pages	RFPOWERtransistor,LDMOSTplasticfamilyN-Channelenhancement-modelateralMOSFETs Description ThePD55015isacommonsourceN-Channel,enhancement-modelateralField-EffectRFpowertransistor.Itisdesignedforhighgain,broadbandcommercialandindustrialapplications.Itoperatesat12Vincommonsourcemodeatfrequenciesofupto1GHz.PD55015boaststheexcellentg	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
PD55015S	文件：120.19 Kbytes Page：10 Pages	RFPOWERTRANSISTORSTheLdmoSTPlasticFAMILY DESCRIPTION ThePD55015isacommonsourceN-Channel,enhancement-mode,lateralField-EffectRFpowertransistor.Itisdesignedforhighgain,broadbandcommercialandindustrialapplications.Itoperatesat12Vincommonsourcemodeatfrequenciesofupto1GHz.PD55015boaststheexcellentga	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
PD55015STR-E	文件：493.87 Kbytes Page：22 Pages	RFPOWERtransistor,LDMOSTplasticfamilyN-Channelenhancement-modelateralMOSFETs Description ThedeviceisacommonsourceN-channel,enhancement-modelateralfield-effectRFpowertransistor.Itisdesignedforhighgain,broadbandcommercialandindustrialapplications.Itoperatesat12Vincommonsourcemodeatfrequenciesupto1GHz.Thedeviceboaststheexcellentga	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
PD55015STR-E	文件：540.83 Kbytes Page：23 Pages	RFPOWERtransistor,LdmoSTplasticfamilyN-channelenhancement-mode,lateralMOSFETs	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
PD55015STR-E	文件：419.96 Kbytes Page：27 Pages	RFPOWERtransistor,LDMOSTplasticfamilyN-Channelenhancement-modelateralMOSFETs Description ThePD55015isacommonsourceN-Channel,enhancement-modelateralField-EffectRFpowertransistor.Itisdesignedforhighgain,broadbandcommercialandindustrialapplications.Itoperatesat12Vincommonsourcemodeatfrequenciesofupto1GHz.PD55015boaststheexcellentg	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
PD55015TR-E	文件：540.83 Kbytes Page：23 Pages	RFPOWERtransistor,LdmoSTplasticfamilyN-channelenhancement-mode,lateralMOSFETs	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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产品属性

产品编号：
PD55015S-E
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
LDMOS
频率：
500MHz
增益：
14dB
额定电流（安培）：
5A
功率 - 输出：
15W
封装/外壳：
PowerSO-10 裸露底部焊盘
供应商器件封装：
PowerSO-10RF（直引线）
描述：
FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10

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更多PD55015S-E供应商更新时间2024-4-28 15:09:00

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