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PBSS5350D	文件：65.41 Kbytes Page：8 Pages	PNP transistor DESCRIPTION PNPlowVCEsattransistorinaSC-74plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4350D. FEATURES •Highcurrentcapabilities •LowVCEsat. APPLICATIONS •Heavydutybatterypoweredequipment(Automotive,TelecomandAudio/Video)suchasmotorandlampdrivers •VCEsatcriticalapplica	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5350D	文件：999.14 Kbytes Page：9 Pages	Marking：53；Package：SC-74；50 V, 3 A PNP low VCEsat transistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinasmallSOT457(SC-74)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. NPNcomplement:PBSS4350D 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcurrentcapability •Highefficiencyduetolessheatgenera	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5350D	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	Low VCEsat (BISS) transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5350D-Q	文件：219.55 Kbytes Page：9 Pages	Marking：53；Package：SC-74；50 V, 3 A PNP low VCEsat transistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinasmallSOT457(SC-74)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. NPNcomplement:PBSS4350D-Q 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcurrentcapability •Highefficiencyduetolessheatgene	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5350D_15	文件：262.66 Kbytes Page：12 Pages	50 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5350D,115	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-74，SOT-457；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 50V 3A 6TSOP	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
PBSS5350D,125	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-74，SOT-457；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 50V 3A 6TSOP	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
PBSS5350D,135	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-74，SOT-457；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 50V 3A 6TSOP	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.

详细参数

型号：
PBSS5350D
功能描述：
两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-11
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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