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PBSS5350D-Q	文件：219.55 Kbytes Page：9 Pages	Marking：53；Package：SC-74；50 V, 3 A PNP low VCEsat transistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinasmallSOT457(SC-74)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. NPNcomplement:PBSS4350D-Q 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcurrentcapability •Highefficiencyduetolessheatgene	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5350PAS	文件：283.44 Kbytes Page：14 Pages	50V,3APNPlowVCEsattransistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinDFN2020D-3(SOT1061D)leadlesssmallSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackagewithvisibleandsolderablesidepads. NPNcomplement:PBSS4350PAS 2.Featuresandbenefits •DFN2020D-3(SOT1061D)package •Lowcollector-emittersaturati	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5350PAS-Q	文件：284.65 Kbytes Page：14 Pages	50V,3APNPlowVCEsattransistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinDFN2020D-3(SOT1061D)leadlesssmallSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackagewithvisibleandsolderablesidepads. NPNcomplement:PBSS4350PAS-Q 2.Featuresandbenefits •DFN2020D-3(SOT1061D)package •Lowcollector-emittersatura	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5350S	文件：74.76 Kbytes Page：8 Pages	Highpowerdissipation(830mW) DESCRIPTION PNPlowVCEsattransistorinaSOT54plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4350S. FEATURES •Highpowerdissipation(830mW) •Ultralowcollector-emittersaturationvoltage •3Acontinuouscurrent •Highcurrentswitching •Improveddevicereliabilityduetoreducedheat g	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5350SS	文件：696.38 Kbytes Page：14 Pages	50V,2.7ANPN/NPNlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5350SS	文件：730.36 Kbytes Page：19 Pages	50V,2.7ANPN/PNPlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5350SS	文件：701.01 Kbytes Page：14 Pages	50V,2.7APNP/PNPlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5350T	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5350T	文件：831.84 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features LowVCE(sat),highcurrent. Applications Generalpurposeswitchingandmuting,LCDback-lighting,supplylineswitchingcircuits.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
PBSS5350T	文件：86.2 Kbytes Page：10 Pages	50V,3APNPlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION PNPlowVCEsattransistorinaSOT23plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4350T. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsatandcorrespondinglowRCEsat •Highcollectorcurrentcapability •Highcollectorcurrentgain •Improvedefficiencyduetoreducedheatge	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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深圳市南科功率半导体有限公司	PBSS5350D-Q	NK/南科功率	2025+	SOT457	986966	国产	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	PBSS5350D-QX	Nexperia USA Inc.	25+	SC-74 SOT-457	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
深圳市一线半导体有限公司	PBSS5350DSOT163-53	恩XP	24+	SOT-163SOT-23-6	366200	新进库存/原装	询价
深圳瞄钧科技有限公司	PBSS5350DT/R	PH	24+	原厂封装	65250	支持样品,原装现货,提供技术支持!	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	PBSS5350D超小型管	恩XP	23+	SOT23-6	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市创盛芯科技有限公司	PBSS5350D超小型管	恩XP	24+	SOT23-6	3000	原装现货假一赔十	询价
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