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PBSS5350PAS	文件：283.44 Kbytes Page：14 Pages	Marking：G4；Package：SOT1061D；50 V, 3 A PNP low VCEsat transistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinDFN2020D-3(SOT1061D)leadlesssmallSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackagewithvisibleandsolderablesidepads. NPNcomplement:PBSS4350PAS 2.Featuresandbenefits •DFN2020D-3(SOT1061D)package •Lowcollector-emittersaturati	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5350PAS-Q	文件：284.65 Kbytes Page：14 Pages	Marking：G4；Package：SOT1061D；50 V, 3 A PNP low VCEsat transistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinDFN2020D-3(SOT1061D)leadlesssmallSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackagewithvisibleandsolderablesidepads. NPNcomplement:PBSS4350PAS-Q 2.Featuresandbenefits •DFN2020D-3(SOT1061D)package •Lowcollector-emittersatura	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5350S	文件：74.76 Kbytes Page：8 Pages	Highpowerdissipation(830mW) DESCRIPTION PNPlowVCEsattransistorinaSOT54plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4350S. FEATURES •Highpowerdissipation(830mW) •Ultralowcollector-emittersaturationvoltage •3Acontinuouscurrent •Highcurrentswitching •Improveddevicereliabilityduetoreducedheat g	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5350SS	文件：696.38 Kbytes Page：14 Pages	50V,2.7ANPN/NPNlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5350SS	文件：730.36 Kbytes Page：19 Pages	50V,2.7ANPN/PNPlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5350SS	文件：701.01 Kbytes Page：14 Pages	50V,2.7APNP/PNPlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5350T	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5350T	文件：831.84 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features LowVCE(sat),highcurrent. Applications Generalpurposeswitchingandmuting,LCDback-lighting,supplylineswitchingcircuits.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
PBSS5350T	文件：86.2 Kbytes Page：10 Pages	50V,3APNPlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION PNPlowVCEsattransistorinaSOT23plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4350T. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsatandcorrespondinglowRCEsat •Highcollectorcurrentcapability •Highcollectorcurrentgain •Improvedefficiencyduetoreducedheatge	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5350T	文件：1.14899 Mbytes Page：11 Pages	50V,3APNPlowVCEsattransistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. NPNcomplement:PBSS4350T 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsatandcorrespondinglowRCEsat •Highcollectorcurrentcapability	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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