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PBSS5350D-Q数据手册Nexperia中文资料规格书

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厂商型号

PBSS5350D-Q

功能描述

50 V, 3 A PNP low VCEsat transistor

制造商

Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved

中文名称

安世 安世半导体(中国)有限公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 23:01:00

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PBSS5350D-Q规格书详情

特性 Features

• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High current capability
• High efficiency due to less heat generation
• Smaller Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
• Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications

应用 Application

• Supply line switching circuits
• Battery management applications
• DC-to-DC conversion

技术参数

  • 制造商编号

    :PBSS5350D-Q

  • 生产厂家

    :Nexperia

  • Package name

    :TSOP6

  • Size (mm)

    :2.9 x 1.5 x 1

  • Polarity

    :PNP

  • Ptot [max] (mW)

    :1200

  • VCEO [max] (V)

    :-50

  • IC [max] (A)

    :-3

  • ICM [max] (A)

    :-5

  • hFE [min]

    :200

  • fT [min] (MHz)

    :100

  • VCEsat [max] (mV)

    :-300

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