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PBSS5350D数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

PBSS5350D

参数属性

PBSS5350D 封装/外壳为SC-74,SOT-457;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 50V 3A 6TSOP

功能描述

50 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

封装外壳

SC-74,SOT-457

制造商

Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved

中文名称

安世 安世半导体(中国)有限公司

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-8-6 23:00:00

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PBSS5350D规格书详情

描述 Description

PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: PBSS4350D

特性 Features

• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High current capability
• High efficiency due to less heat generation
• AEC-Q101 qualified
• Smaller Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

应用 Application

• Supply line switching circuits
• Battery management applications
• DC-to-DC conversion

技术参数

  • 制造商编号

    :PBSS5350D

  • 生产厂家

    :Nexperia

  • Package name

    :TSOP6

  • Size (mm)

    :2.9 x 1.5 x 1

  • Polarity

    :PNP

  • Ptot (mW)

    :600

  • VCEO [max] (V)

    :-50

  • IC [max] (mA)

    :-3000

  • hFE [min]

    :200

  • Tj [max] (°C)

    :150

  • fT [min] (MHz)

    :100

  • Automotive qualified

    :N

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