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PBSS5260PAP中文资料60 V, 2 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor数据手册Nexperia规格书
PBSS5260PAP规格书详情
描述 Description
PNP/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
NPN/PNP complement: PBSS4260PANP. NPN/NPN complement: PBSS4260PAN.
特性 Features
• Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• High collector current gain hFE at high IC
• Reduced Printed-Circuit Board (PCB) requirements
• High efficiency due to less heat generation
• AEC-Q101 qualified
应用 Application
• Load switch
• Battery-driven devices
• Power management
• Charging circuits
• Power switches (e.g. motors, fans)
技术参数
- 制造商编号
：PBSS5260PAP
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN2020-6
- Size (mm)
：2 x 2 x 0.65
- Product status
：Production
- Polarity
：PNP
- Nr of transistors
：2
- Ptot [max] (mW)
：1040
- VCEO [max] (V)
：-60
- IC [max] (A)
：-2
- VCEsat [max] (PNP) (mV)
：-500
- RCEsat@IC [max]; IC/IB =10 [typ] (mΩ)
：250
- hFE [min]
：170
- fT [typ] (MHz)
：100
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
24+ |
NA/ |
1300 |
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询价 | ||
Nexperia(安世) |
24+ |
SOT1118 |
7350 |
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询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
24+ |
原厂原封可拆样 |
65258 |
百分百原装现货,实单必成 |
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NEXPERIA/安世 |
2450+ |
NA |
9850 |
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询价 | ||
恩XP |
24+ |
SO-8 |
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原装正品公司现货,假一赔十! |
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恩XP |
23+ |
WLCSP25 |
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恩XP |
21+ |
SO-8 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT1118 |
10990 |
原装正品 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
SO-8 |
8080 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
ADI |
23+ |
SOT1118 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 |
